SMD(SO)/表面封装
SSM6K34TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,30V,3A,0.077Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
SSM6K34TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,30V,3A,0.077Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
应用:
* 高电流开关应用
* 电源管理开关应用
特点:
* 4.5V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
:Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
产品型号:SSM6K34TU
封装:SOT-323-6
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.077 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):470 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):6.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8.3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K34TU,30V,3A N-沟道增强型场效应晶体管
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