P-DIT/塑料双列直插
TK7A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,0.98Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
Toshiba/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
TK7A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,0.98Ω
TK8A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,8A,0.84Ω
产品型号:TK7A65D
封装:TO-220F
标记:K7A65D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.98 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
产品型号:TK8A65D
封装:TO-220F
标记:K8A65D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.84 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1350 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):416
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
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邮箱:2355799088@qq.com
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