SMD(SO)/表面封装
SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
SSM6K411TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.012Ω
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点:
* 2.5V驱动器
* 低导通电阻:RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
:RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V)
:RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V
产品型号:SSM6K411TU
封装:SOT-323-6
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1.2
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):710 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):23 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K411TU,20V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
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