SMD(SO)/表面封装
BSC0925ND
N-FET硅N沟道
S/开关
INFINEON/英飞凌
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
BSC0925ND,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,30V/30V,40A/40A,0.0045Ω
产品型号:BSC072N03LDG
OptiMOS Power-Transistors
特点
* 双N沟道逻辑电平
* 快速开关MOSFET的开关电源
* 优化技术的DC / DC转换器
* 符合到JEDEC1)为目标的应用
* 的栅极电荷x RDS(ON)产品(FOM)
* 非常低的导通电阻RDS(ON)
* 卓越的热电阻
* 100%雪崩测试
* 无铅电镀,符合RoHS标准
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
品牌:INFINEON/英飞凌
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V/30V
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20A/20A
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):57
输入电容Ciss(PF):2600 typ.
通道极性:双N沟道
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):90
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.
下降时间Tf(ns):4 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:BSC072N03LDG,30V/30A,20A/20A,0.0072Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
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