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品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXGH50N60 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HI-REL/高*性 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 600(V) |
低频跨导 | 0.018(μS) | *间电容 | 3900(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | *大漏*电流 | 75(mA) |
*大耗散功率 | 400(mW) |
IXGH50N60
供应场效应管IXGH50N60
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