品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFZ48VPBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
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产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 详细信息 |
配置: | Single |
晶体管*性: | N-Channel |
电阻汲*/源* RDS(导通): | 0.018 Ohms |
汲*/源*击穿电压: | 60 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏*连续电流: | 50 A |
功率耗散: | 190 W |
*大工作温度: | + 175 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220AB |
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