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场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C

场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C
场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C
普通会员
商品信息

品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF8N60C
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V)
夹断电压 0(V) 低频跨导 8700(μS)
*间电容 965(pF) *大漏*电流 7500(mA)
*大耗散功率 48000(mW)

 MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

 

 

 

描述
  • 晶体管*性:N
  • 漏*电流, Id *大值:7.5A
  • 电压, Vds *大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):1.2ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs *高:30V
  • 功耗:48W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220F
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:48W
  • 封装类型:TO-220F
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:7.5A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V

 

联系方式

企业名:深圳市福田区华强广场新原电子销售部

类型:经销商

电话: 755-83200113

联系人:欧阳立

地址:广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室

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