品牌:IR 型号:IRFR9120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:2-4(V) 夹断电压:0(V) *大漏*电流:6600(mA) *大耗散功率:40000(mW)
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 P通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6.6A
開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 3.9A,10V
輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V
功率 - *大 40W
封裝 編帶和捲軸封裝(TR)
閘電流(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
封裝/外殼 DPak (TO-252)
閘極至源極的電壓(*大Vgs) 20V
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