【华强实体店供应】高压贴片场效应管 FQD5N60C/FQD5N60/5N60

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FQD5N60C
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
2-4（V）
夹断电压：
0（V）
*间电容：
515（pF）
漏*电流：
2800（mA）

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类型：经销商

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产品分类

电源IC(11)
∟ 稳压IC(8)∟ 其他电源IC(3)
二极管(75)
∟ 整流二极管(3)∟ 开关二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 肖特基二极管(35)
三极管(59)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(6)∟ 功率三极管(18)∟ 开关三极管(3)∟ 低噪声三极管(2)∟ 复合(达林顿)三极管(3)∟ 高反压三极管(1)∟ 其他三极管(7)
场效应管MOSFET(138)
∟ MOSFET(62)∟ 其他场效应管模块(13)
可控硅IGBT(4)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(2)∟ 可控硅(晶闸管)模块(1)
其他未分类(4)

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商品信息

电流特性曲线(X:500mV; Y:200mA;VGS:1V):

因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。

耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA):

MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能

在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。

EAS，IAR和EAR的定义及测量

　　MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其*终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：