英飞凌场效应管SPD04N50C3

品牌/型号：
INFINEON/英飞凌/SPD04N50C3
封装：
TO-252/DPAK
*限电压：
560（V）
*限电流：
4.5（A）
种类：
*缘栅MOSFET
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型

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产品分类

电源IC(11)
∟ 稳压IC(8)∟ 其他电源IC(3)
二极管(75)
∟ 整流二极管(3)∟ 开关二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 肖特基二极管(35)
三极管(59)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(6)∟ 功率三极管(18)∟ 开关三极管(3)∟ 低噪声三极管(2)∟ 复合(达林顿)三极管(3)∟ 高反压三极管(1)∟ 其他三极管(7)
场效应管MOSFET(138)
∟ MOSFET(62)∟ 其他场效应管模块(13)
可控硅IGBT(4)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(2)∟ 可控硅(晶闸管)模块(1)
其他未分类(4)

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商品信息

原装现货，*供应。標準包裝 2,500類別離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型表面黏著式

FET型 N通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 560V

電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 4.5A

開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 950毫歐姆@ 2.8A，10V

輸入電容(Ciss)@Vds 470pF @ 25V

功率 - *大 50W

封裝編帶和捲軸封裝(TR)

閘電流(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V

封裝/外殼 DPak (TO-252-3, TO-252AA)