| 品牌/商标 | * | 型号/规格 | GV2301 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| *间电容 | 11（pF） | 低频噪声系数 | 1（dB） |
| *大漏*电流 | 1（mA） | *大耗散功率 | 100（mW） |
*GV2301,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各生产厂家和被动元件经销商订购!
描述:
2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻.2301适用于低压应用，例如移动，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点:
●-20V/-2.8A
●RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
●RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
●*密度单元、*小的RDS(ON)）
●*小封装：SOT23
应用:
●电源管理
●负载开关
●电池保护
引脚排列:
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