产品型号:CED41A2

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):36

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 4.5V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):43

极间电容Ciss(PF):2100

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：15

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:20V,36A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

 

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