BSZ067N06LS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.0067Ω
INFINEON（英飞凌）
QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
企业名：深圳市金城微零件有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话：
0755-83364431
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手机：15811840616
15811829690
联系人：刘小姐/钟小姐
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邮箱：2355799104@qq.com
地址：广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼（地铁五和站B出口）门市1：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=10mA | 60 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 20 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 80 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=35µA | 4 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=20A, RGS=25Ω | 118 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 7.6 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=30V, f=1MHz | 3000 | PF |
|
Transconductanc |
gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=20A | 39 | S |
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