产品型号:AP9565GEH,SOT-252,SMD/MOS,P场,-40V,-24A,0.038Ω
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

描述:
  先进的功率MOSFET提供从APEC设计师与快速切换的组合，坚固耐用的设备设计，低导通电阻

和成本效益。
  TO-252封装，广泛的商业工业表面贴装应用的，适合于低电压应用，如DC/ DC转换器。通孔

版本（AP9565GEJ）可用于低配置应用程序。

特点:
 * 低导通电阻
 * 简单的驱动器要求
 * 快速开关特性
 * 带ESD二极保护

封装:SOT-252

品牌：AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-40

夹断电压VGS(V):±16

漏极电流Id(A):-24

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2.5

功率PD(W):35.7

输入电容Ciss(PF):765 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：13

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

上升时间Tr(ns):6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):28 typ.

下降时间Tf(ns):16 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:AP9565GEH,-40V,-24A,0.038Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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