产品型号:2SK962-01

封装:TO-3P

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):150

输入电容Ciss(PF):1400 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

上升时间Tr(ns):230 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ.

下降时间Tf(ns):160 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:900V,8A N-沟道增强型场效应晶体管

特点
。高速开关
。低导通电阻
。无二次击穿
。低驱动功率
。高电压

应用
。开关稳压器
。UPS
。 DC-DC变换器
。通用功率放大器

 

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