SSM6J23FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,P场,-12V,-1.2A,0.16Ω,带ESD二极静电保护

产品型号:SSM6J23FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ)

应用:

 * High Current Switching Applications/高速开关应用
 * DC-DC Converter/DC-DC转换器

特点：
 * 最适用于高密度安装在小包装
 * 低导通电阻：Ron = 160 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
             ：Ron = 210 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-1.2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.16 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):420 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：3.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J23FE,-12V,-1.2A P-沟道增强型场效应晶体管

 

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