产品型号:AP9962GH
特点
 * 低导通电阻
 * 单个驱动器的要求
 * 表面贴装封装

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):32

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):27.8

输入电容Ciss(PF):1170 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：19

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

上升时间Tr(ns):38 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.

下降时间Tf(ns):5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:40V,32A N-沟道增强型场效应晶体管

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