产品型号:SI2300

封装:SOT-23

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±12

漏极电流Id(A):6

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):1.25

输入电容Ciss(PF):550 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

上升时间Tr(ns):6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.

下降时间Tf(ns):7 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:20V,6A N-沟道增强型场效应晶体管

企业名：深圳市金城微零件有限公司

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