产品型号:SI2311

封装:SOT-23

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-8

夹断电压VGS(V):±8

漏极电流Id(A):-3A

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-0.8

功率PD(W):0.71

输入电容Ciss(PF):970 typ.

通道极性:p沟道

导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.

上升时间Tr(ns):45 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.

下降时间Tf(ns):45 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:-8V,-3A P-沟道增强型场效应晶体管

企业名：深圳市金城微零件有限公司

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