MDD5N50TH，SOT-252，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，N场，500V，4.4A，1.4Ω

CMD5N50，SOT-252，Cmos，SMD/MOS，N场，500V，4.5A，1.5Ω

 

产品型号:MDD5N50
1.概述
  MDD5N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开

关性能和优良的品质。
  MDD5N50是合适的设备，开关电源，HID和一般用途的应用。

2.应用
 * 电源供应器
 * PFC
 * 压载

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):4.4

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):70

输入电容Ciss(PF):500 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):230

导通延迟时间Td(on)(ns):12 TYP.

上升时间Tr(ns):24 TYP.

关断延迟时间Td(off)(ns):24 TYP.

下降时间Tf(ns):22 TYP.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

产品型号:CMD5N50
1.概述
  这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用了先进的技术，特别是针对已

限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和换向模式。这些器件非常适用于高效率开关模式电源，功率因数校正和电

子镇流器基于半桥。

2.应用
 * 电源供应器
 * PFC
 * 压载

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):4.5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):500

导通延迟时间Td(on)(ns):15 TYP.

上升时间Tr(ns):40 TYP.

关断延迟时间Td(off)(ns):85 TYP.

下降时间Tf(ns):45 TYP.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.5A N-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

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