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场效应管 2SJ380,J380

供应 场效应管 2SJ380,J380
供应 场效应管 2SJ380,J380
  • 型号/规格:

    2SJ380\tTO-220F\tTOSHIBA\tDIP/MOS\tP场\t-100V\t-12A\t0.21Ω

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
    0755-83364431

    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

 

金城微零件,场效应系列

 

   大量现货供应P Channel MOSFET/P沟通场效应管,品牌SANYO/三洋、TOSHIBA/东芝等原装货,应用于通用开关设备,继电器驱动器,DC-DC转换器和电机驱动器,特点:低导通电阻,4V驱动器,超高速开关,增强模式,雪崩性能强。

2SJ380,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-12A,0.21Ω

产品型号:2SJ380
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV)

应用:继电器驱动器,DC-DC转换器和电机驱动器

特点:
 * 4V 栅极驱动器
 * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 0.15 Ω (typ.)
 * 高正向转移导纳: |Yfs| = 7.7 S (typ.)
 * 低漏电流: IDSS = -100 μA (max) (VDS = -100 V)
 * 增强模式: Vth = -0.8~-2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

封装:TO-220F

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):-12

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.21 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):1100 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):7.7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

上升时间Tr(ns):18 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ.

下降时间Tf(ns):18 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SJ380,-100V,-12A,0.21Ω P-沟道增强型场效应晶体管

替换型号:

2SJ655,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-12A,0.136Ω

2SJ654,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,P场,-100V,-8A
2SJ655,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,P场,-100V,-12A
2SJ656,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,P场,-100V,-18A
2SJ657,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,P场,-100V,-25A


登陆我站:https://www.chinajincheng.com
企业Q
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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
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手机:15811840616
15811829690

联系人:刘小姐/钟小姐

QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

微信:

邮箱:2355799104@qq.com

地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

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