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场效应管 RCX450N20 EMD50N15F

供应 场效应管 RCX450N20 EMD50N15F
供应 场效应管 RCX450N20 EMD50N15F
  • 型号/规格:

    RCX450N20

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    1000/盒

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
    0755-83364431

    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

RCX450N20,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,45A,0.055Ω
10V Drive Nch MOSFET

产品型号:RCX450N20
特点:
1)低导通电阻。
2)高速开关。
3)保证到±30V的栅源电压VGSS
4)高功率封装(TO-220FM)

封装:to-220f

品牌:ROHM

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):45

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):.055 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):40

描述:RCX450N20,200V,45A,0.055Ω N-沟道增强型场效应晶体管

 

 

MOS管参数解释

MOS管介绍
Mosfet
参数含义说明
Features:
Vds
    DS击穿电压.Vgs=0V时,MOSDS所能承受的电压
Rds(on)
DS的导通电阻.Vgs=10V时,MOSDS之间的电阻
Id
     DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs:    
GS电压.一般为:-20V~+20V
Idm:    
脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系
Pd:     
耗散功率
Tj:     
工作结温,通常为150度和175
Tstg:   
存储温度
Iar:    
雪崩电流
Ear:    
重复雪崩击穿能量
Eas:    
单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss
  DS击穿电压
Idss:   
饱和DS电流,uA级的电流
Igss:    GS
驱动电流,nA级的电流.
gfs:    
跨导
Qg:      G
总充电电量
Qgs:     GS
充电电量
Qgd:     GD
充电电量
Td(on): 
导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr:     
上升时间,输出电压 VDS 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off):
关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf:     
下降时间,输出电压 VDS 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4)
Ciss:   
输入电容,Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:   
输出电容,Coss=Cds +Cgd.
Crss:   
反向传输电容,Crss=Cgc.


深圳市金城微零件有限公司                                  
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
0755-83364431

手机:15811840616
15811829690

联系人:刘小姐/钟小姐

QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

微信:

邮箱:2355799104@qq.com

地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

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