产品型号:TPC8114,SOP-8,SMD/MOS,P场,-30V,-18A,0.0045Ω

应用:
 * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用
 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用
 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用
特点:
 * 超薄小体积封装
 * 高速开关
 * 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 3.1 mΩ (typ.)
 * 高正向转移导纳: |Yfs| = 47 S (typ.)
 * 低漏电流: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -30 V)
 * 增强模式: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = ?1 mA)

封装:SOP-8

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):-18

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2

功率PD(W):1.9

输入电容Ciss(PF):2270 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：47

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211

导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ.

上升时间Tr(ns):25 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):625 typ.

下降时间Tf(ns):235 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPC8114,-30V,-18A,0.0045Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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