产品型号:TTK2837,TO-3P,DIP/MOS,N场,500V,20A,0.27Ω
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

封装:TO-3P

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):280

通道极性:N沟道

下降时间Tf(ns):67 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TTK2837,TO-3P,DIP/MOS,N场,500V,20A,0.27Ω

 

场效应管 - 主要参数

直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

 

交流参数

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

极限参数

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

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