HFU1N80
SemiHow
TO-251
普通型
直插式
单件包装
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
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手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
微信:
邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室
产品型号:HFU1N80 800V N-Channel MOSFET
封装:TO-251
品牌:SemiHow
特点:
* 有创意的新设计
* 雪崩坚固的技术
* 强劲的栅极氧化层技术
* 非常低的固有电容
* 优良的开关特性
* 无与伦比的栅极电荷:7.5NC(TYP.)
* 扩展安全工作区
* 更低的RDS(ON):13Ω(TYP.)@ VGS= 10V
*源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
*漏极电流Id(A):1
MOS管介绍
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等因素。
MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。
在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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