品牌:其他 型号:AOTF12N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/*组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:0（V） 夹断电压:0（V） 低频跨导:0（μS） *间电容:0（pF） 低频噪声系数:0（dB） *大漏*电流:0（mA） *大耗散功率:0（mW）

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