| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK3568 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/*组件 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | SENSEFET电流敏感 |
| 开启电压 | 00（V） | 夹断电压 | 00（V） |
| *间电容 | 00（pF） | 低频噪声系数 | 00（dB） |
| *大漏*电流 | 00（mA） | *大耗散功率 | 00（mW） |
| 部件型号 | 2SK3568 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 12 A | |
| 漏功耗PD | 40 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.52 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
