价格:请*来电 规格:TO-251/TO-252/TO220 品牌:NK 产地:中国 型号:1N60 数量:1000000/月

型号 耐压 漏电 栅*漏电 内阻 开启电压 VSD 可替代产品
(V) (600V) (<0.1μA) (欧姆) (V) (V) FAIRCHILD 意法半导体
NK1NμA ±30V 11.5 2~5 2 FQN1N60C STN1NK60Z
NK2NμA ±30V 4.7 2~5 2.7 FQP2N60 STP3NK60Z
NK3NμA ±30V 3.6 2~5 2.7 FQP3N60 STP3NK60Z
NK4NμA ±30V 2.2 2~5 2.7 FQP4N60 STP4NK60Z
NK5NμA ±30V 2.5 2~5 2.7 FQPF5N60C STP4NK60Z
NK6NμA ±30V 2 2~5 2.7 FQP6N60C STP5NK60Z
NK7NμA ±30V 1 2~5 2.7 FQP7N60 STP8NM60
NK8NμA ±30V 1.2 2~5 2.7 FQP8N60C STP8NM60
NK9NμA ±30V 0.95 2~5 2.7 —— STP9NK60Z
中国南科集团能耐600V高压冲击POWER MOSFET系列产品的推出，标志着我国在高压POWER MOSFET的技术领域内已掌握*技术，并可*取代*同类型产品，填补了我国同类产品之空白，更将对我国开关电源产品内的关键*件的国产化起到*的贡献。

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