| 品牌/商标 | HX(环鑫) | 型号/规格 | HX2N60C(TO-251,252) |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 0.1（V） |
| 夹断电压 | 0.1（V） | 低频跨导 | 0.1（μS） |
| *间电容 | 0.1（pF） | 低频噪声系数 | 0.1（dB） |
| *大漏*电流 | 0.1（mA） | *大耗散功率 | 0.1（mW） |
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HX2N60 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 2A，600V，RDS(on)=5.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
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