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20N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
0.1(V)
0.1(V)
0.1(μS)
0.1(pF)
企业名:蒋德平
类型:生产加工
电话: 0755-89516539
联系人:蒋德平
地址:广东深圳深圳市龙岗区南湾丹竹头仙桃圆工业区3栋4楼
韩国产品.质量*对*
现货长期供应*场效应管场效应20N50,质量*.*有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电
20N50 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 20A,500V,RDS(on)=0.26Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
WFW20N50 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 20A,500V,RDS(on)=2.6Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司