FF200R17KE3*缘栅双*型晶体管IGBT是由MOSFET和双*型晶体管复合而成的一种器件,其输入*为MOSFET,输出*为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管.它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双*型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用.
FF200R17KE3在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO.但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受*波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的*性直接关系到电源的*性.因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节.
FF200R17KE3是英飞凌IGBT半导体模块*具代表性的元器件之一，目前主要用在变频器，开关电源上面的居多。

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