| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | TK80E08 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | M*金属半导体 |
| 开启电压 | 80（V） | 夹断电压 | 80（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 8（pF） |
| 低频噪声系数 | 080（dB） | *大漏*电流 | 08（mA） |
| *大耗散功率 | 08（mW） |
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