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| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF530 IRF830 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-INM/*组件 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | M*金属半导体 |
| 开启电压 | 110（V） | 夹断电压 | 110（V） |
| 低频跨导 | 110（μS） | *间电容 | 110（pF） |
| 低频噪声系数 | 110（dB） | *大漏*电流 | 110（mA） |
| *大耗散功率 | 110（mW） |
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