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品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF530 IRF830 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-INM/*组件 |
封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | M*金属半导体 |
开启电压 | 110(V) | 夹断电压 | 110(V) |
低频跨导 | 110(μS) | *间电容 | 110(pF) |
低频噪声系数 | 110(dB) | *大漏*电流 | 110(mA) |
*大耗散功率 | 110(mW) |
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