东芝场效应管 2SK4108

品牌：
TOSHIBA/东芝
型号：
2SK4108
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
S/开关
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
500（V）
夹断电压：
0（V）
跨导：
0（μS）
*间电容：
0（pF）

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新品上架

商品信息

数据列表 2SK4108

标准包装 50
类别分离式半导体产品
家庭 MOSFET，GaNFET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点标准型

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 10A, 10V

漏*至源*电压(Vdss) 500V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 20A

Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3400pF @ 25V

功率 - *大 150W

安装类型通孔

封装/外壳 2-16C1B (TO-247 N)

包装管件
深圳*伟业电子有限公司郗