品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFR9220PBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 1(μS) | *间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | *大漏*电流 | 1(mA) |
*大耗散功率 | 1(mW) |
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产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 详细信息 |
配置: | Single |
晶体管*性: | P-Channel |
电阻汲*/源* RDS(导通): | 1.5 Ohm @ 10 V |
汲*/源*击穿电压: | 200 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏*连续电流: | 3.6 A |
功率耗散: | 2500 mW |
*大工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DPAK |
封装: | Tube |
*小工作温度: | - 55 C |
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