| 品牌/商标 | NXP恩智浦 | 型号/规格 | P*D5V0L6UAS |
| 产品类型 | 功率二*管 | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 有色透明封装(C) | 出光面特征 | 组合型 |
| 发光强度角分布 | 散射型 | 正向直流电流IF | 220（A） |
| *高反向电压 | 270（V） |
| 英文描述： | Low capacitance 6-fold *D protection diode arrays - Cd max.: 19 pF; IRM max: 0.025A; Number of protected lines: 6 ; PPP max: 35 W; VBR t*.: 6.8 V; VRWM: 5 V |
中文描述：低电容6倍的*D保护二*管阵列 - 镉*大：19 pF的; IRM的*大值：0.025A;保护通道数：6; PPP的*大：35瓦;的VBR典型值：6.8伏; VRWM：5伏。。
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