原装 NTHD3101FT1G

品牌：
0N/安森美
型号：
NTHD3101FT1G
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
L/功率放大
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
20（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

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NTHD3100*1G

年份:10
厂家:ON
封装:SOP-8
供应数量:50000PCS
包装:编带盘装
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