| 品牌：TOSHIBA/东芝 | 型号：3sk77-GR | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：2.5（V） | 低频跨导：NA（μS） | *间电容：NA（pF） |
| 低频噪声系数：NA（dB） | *大漏*电流：3（mA） | *大耗散功率：1（mW） |
TOSHIBA高频，射频场效应管3Sk77-GR
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