产品型号:TK8A65D

封装:TO-220F

标记:K8A65D

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):8

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.84 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1350 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):416

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

上升时间Tr(ns):22 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,8A N-沟道增强型场效应晶体管

企业名：深圳市润百信科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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