| 品牌/商标 | 东光 | 型号/规格 | 9N60 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 650（V） |
| 跨导 | 4000（μS） | *间电容 | 1100（pF） |
| 低频噪声系数 | 23（dB） | *大漏*电流 | 9000（mA） |
| *大耗散功率 | 147000（mW） |
原厂*，价格优惠，质量*！
产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(*号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏*电流 | I d | 9 | A |
| 栅源电压 | V gs | &plu*n;30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 130 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 0.85 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
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