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2N60 场效应晶体管

2N60 场效应晶体管
2N60 场效应晶体管
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 静态功耗:

    .

  • 导电类型:

    双*型

  • 型号/规格:

    2N60

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 规格尺寸:

    .

  • 品牌/商标:

    ST,*童,IR,*,国产

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:陈冰虹

    类型:经销商

    电话: 0755-83013571

    联系人:陈冰虹

    地址:广东深圳华强北中航路都会100电子城1B116C

商品信息 更新时间:2013-11-22



场效应管,2N60,TO-220,TO-252:

品牌:*童,IR,ST,

型号:2N60,

种类:*缘栅(MOSFET),

沟道类型:N沟道,

用途:SW-REG/开关电源, 封装外形:P-DIT/塑料双列直插,  材料:N-FET硅N沟道, 夹断电压:600(V), *间电容:5.0(pF)

  

 

 

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