| 品牌/商标 | FUI日本富士通 | 型号/规格 | 2SK3528 19N60 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 600（V） |
| 夹断电压 | 50（V） | 跨导 | 300（μS） |
| *间电容 | 10（pF） | 低频噪声系数 | 150（dB） |
| *大漏*电流 | 30（mA） | *大耗散功率 | 60（mW） |
2SK3528 TO* 17A 600V N 沟道MOSFET
替代料： 19A 600V N 沟道，， FUJI
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