∟ 功率三极管(4)
| 品牌：拆机场效应 | 型号：5N606N607N60 | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：SW-REG/开关电源 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：N-FET硅N沟道 |
产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(*号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏*电流 | I d | 2.4 | A |
| 栅源电压 | V gs | &plu*n;30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 140 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 64 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 1.95 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
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