| 品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | B772 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 高频 | *性 | PNP型 |
| 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 截止频率fT | 50（MHz） | 集电**大允许电流ICM | 3000（A） |
| 集电**大耗散功率PCM | 500（W） | 营销方式 | 代理 |
| 产品性质 | * |
JIANGSU CHANGJIANG ELE*RONICS TECH*LOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
B772 TRANSISTOR (PNP)
FEATUR*
Power dissipation PCM:
625 mW (Tamb=25℃)
Collector current I
CM:
-3 A
Collector-base voltage
(BR)CBO
: -40 V
Operating and storage junction temperature range
: -55℃ to +150℃
ELE*RICAL CHARA*ERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=-100?A ,IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -10 mA , IB=0 -30 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100?A, IC=0 -6 V
Collector cut-off current ICBO VCB= -40 V, IE=0 -1 ?A
Collector cut-off current ICEO VCE=-30 V, IB=0 -10 ?A
Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V, IC=0 -1 ?A
FE(1)V
CE
= -2V, IC
= -1A 60 400
DC current gain h
FE(2)V
CE
=-2V, IC
= -100mA 32
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -0.5 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-2A, IB= -0.2A -1.5 V
Transition frequency f
CE
= -5V, IC
=-0.1A
f = 10MHz
50 MHz
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank R O Y GR
Range -400
1 2 3
TO-92
1. EMITTER
2. COLLE*OR
3. BASE
123
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