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MEE250-12DA

MEE250-12DA
MEE250-12DA
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    MEE250-12DA

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标：

    IXY美国电报半导体

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 1：

    1

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  • 企业名：北京浩诚嘉泰科技有限公司

    类型：经销商

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    地址：北京北京市北京市昌平区回龙观镇西大街9号院3号楼18层2106室

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商品信息

*电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二*管，场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR，IXYS，日立等*快速熔断器，电解电容,大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。

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