富士IGBT模块7*R25VY120-50

品牌：
FJD日本富士电机
型号：
7*R25VY120-50
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

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场效应管MOSFET(20)
∟ MOSFET(6)∟ IGBT模块(1)

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商品信息

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