| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK2698 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 500（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 20（pF） |
| 低频噪声系数 | 20（dB） | *大漏*电流 | 20（mA） |
| *大耗散功率 | 20（mW） |
我公司*生产电容和电阻的 *二三*管 IC 场效应管 可控硅 l
联系： 宋亚
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
