数据列表 IRFB17N20D, IRFS(L)17N20D
产品相片 TO-220AB PKG
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 170 毫欧 @ 9.8A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 16A
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1100pF @ 25V
功率 - *大 3.8W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFB17N20D
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司