在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结，组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电*引线，分别叫基*b、发射*e和集电*c。

结构与操作原理
　　三*管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射*（emitter, E）、基*（base, B）和集电*（collector, C），名称来源和它们在三*管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三*管的电路*号，射**被标出，箭号所指的*为n型半导体， 和二*体的*号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中 性的p型区和n型区隔开。   
三*管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论*常用的所谓”正向*区”(forward active)，在此区EB*间的pn接 面维持在正向偏压，而BC*间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三*管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三*管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射*的电洞会注入到基*，基 *的电子也会注入到射*；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向*区两种情形 下，电洞和电子的电位能的分布图。 三*管和两个反向相接的pn二*管有什么差别呢？其间*大的不同部分就在 于三*管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向*区之pnp三*管为例， 射*的电洞注入基*的n型中性区，马上*载体电子包围遮蔽，然后朝集电* 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时， 会被此区内的电场加速扫入集电*，电洞在集电*中为多数载体，很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点，形成集电*电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基*外部*需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基*注入 射*的电子流InB? E（这部分是三*管作用不需要的部分）。 InB? E在射*与与电 洞复合，即InB? E=IErec。pnp三*管在正向*区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a)中看出。
   射*注入基*的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二*体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更*的说，三*管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三*管的操作原理和pnp三*管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三*管是利用VEB控制由射*经基*,入射到集电*的电洞，而npn三*管则是利用VBE控制由射*经基*、入射到集电*的电子三*管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三*管在正向*区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三*管一直维持偏压在正向*区，在射*与基*间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射*与集电*间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。下面在介绍完三*管的电流电压特性后，会再仔细讨论三*管的用途。 　　三*管的工作原理 三*管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射*接法为例（信号从基*输入，从集电*输出，发射*接地），当基*电压UB有一个微小的变化时，基*电流IB也会随之有一小的变化，受基*电流IB的控制，集电*电流IC会有一个很大的变化，基*电流IB越大，集电*电流IC也越大，反之，基*电流越小，集电*电流也越小，即基*电流控制集电*电流的变化。但是集电*电流的变化比基*电流的变化大得多，这就是三*管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三*管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三*管的放大倍数β一般在几十到几*。 三*管在放大信号时，*先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三*管的集电*与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基*电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电*电阻RC的压降也越大，所以三*管集电*电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。*供参考，请参考有关书籍。

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