| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRFR1205 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：MW/微波 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：N-FET硅N沟道 |
(以下参数只供参考）
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单路
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 26A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：44A
Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 25V
功率 - *大:107W
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